Part Number: | SI8821EDBT2E1 |
Product Name: | SI8821EDBT2E1 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Merchant-Specific Identifier: | SI8821EDBT2E1 |
Category: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Brand: | Vishay Siliconix |
Description: | MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT |
Series: | TrenchFET |
Packaging: | Cut Tape (CT) |
FET Type: | P-Channel |
Technology: | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss): | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: | - |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id: | 1.3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 440pF @ 15V |
Vgs (Max): | ±12V |
FET Feature: | - |
Power Dissipation (Max): | 500mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 135 mOhm @ 1A, 4.5V |
Operating Temperature: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type: | Surface Mount |
Supplier Device Package: | 4-Microfoot |
Package / Case: | 4-XFBGA, CSPBGA |
部品番号
ブランド
D/C
数量
部品番号 : SI8821EDB-T2-E1
ブランド : Vishay
D/C :
Qty : 30000
USD 0
部品番号 : SI8821EDB-T2-E1
ブランド : VISHAY
D/C : 2021+
Qty : 2000
USD 0
部品番号 : SI8821EDB-T2-E1
ブランド : Vishay Siliconix
D/C : 23+
Qty : 16660
USD 0
部品番号 : SI8821EDB-T2-E1
ブランド :
D/C :
Qty : 903
USD 0
部品番号 : SI8821EDB-T2-E1
ブランド : Vishay
D/C :
Qty : 7679
USD 0
部品番号 : SI8821EDB-T2-E1
ブランド : Vishay
D/C :
Qty : 30000
USD 0
部品番号 : SI8821EDB-T2-E1
ブランド : VISHAY
D/C : 2021+
Qty : 2000
USD 0
部品番号 : SI8821EDB-T2-E1
ブランド : Vishay Siliconix
D/C : 23+
Qty : 16660
USD 0
部品番号 : SI8821EDB-T2-E1
ブランド :
D/C :
Qty : 903
USD 0
部品番号 : SI8821EDB-T2-E1
ブランド : Vishay
D/C :
Qty : 7679
USD 0