| Part Number: | FDC638P |
| Product Name: | FDC638P Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Merchant-Specific Identifier: | FDC638P |
| Category: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Brand: | Fairchild/ON Semiconductor |
| Description: | MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6 |
| Series: | PowerTrench |
| Packaging: | Tape & Reel (TR) |
| FET Type: | P-Channel |
| Technology: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss): | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: | 4.5A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 1160pF @ 10V |
| Vgs (Max): | ±8V |
| FET Feature: | - |
| Power Dissipation (Max): | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 48 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Operating Temperature: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type: | Surface Mount |
| Supplier Device Package: | SuperSOT,6 |
| Package / Case: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Номер детали
Торговая марка
Код даты
Кол-во
цена (USD)
Номер детали : FDC638P
Торговая марка : onsemi
Код даты : 22+
Кол-во : 35200
цена :
(USD)
USD
0
Номер детали : FDC638P
Торговая марка : ON
Код даты : 23+
Кол-во : 29000
цена :
(USD)
USD
0
Номер детали : FDC638P
Торговая марка : ON Semiconductor
Код даты : 22
Кол-во : 1000
цена :
(USD)
USD
0
Номер детали
Торговая марка
Код даты
Кол-во
Номер детали : FDC638P
Торговая марка : ON
Код даты :
Кол-во : 3000
USD 0
Номер детали : FDC638P
Торговая марка : ON Semiconductor
Код даты : 22+
Кол-во : 254621
USD 0
Номер детали : FDC638P
Торговая марка : ON
Код даты :
Кол-во : 3000
USD 0
Номер детали : FDC638P
Торговая марка : ON Semiconductor
Код даты : 22+
Кол-во : 254621
USD 0
|
Свяжитесь с нами
Авторские права © 2024 Все права защищены. Названия других продуктов и компаний, упомянутые здесь, могут являться товарными знаками соответствующих владельцев.
Использование данного сайта означает Ваше согласие с Hong Kong Inventory Limited Правилами использования и Соглашение о
