| Part Number: | IXBX75N170 |
| Product Name: | IXBX75N170 Transistors - IGBTs - Single |
| Merchant-Specific Identifier: | IXBX75N170 |
| Category: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single |
| Brand: | IXYS |
| Description: | IGBT 1700V 200A 1040W PLUS247 |
| Series: | BIMOSFET |
| Packaging: | - |
| IGBT Type: | Tube |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1700V |
| Current - Collector (Ic) (Max): | 200A |
| Current - Collector Pulsed (Icm): | 580A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: | 3.1V @ 15V, 75A |
| Power - Max: | 1040W |
| Switching Energy: | - |
| Input Type: | Standard |
| Gate Charge: | 350nC |
| Td (on/off) @ 25°C: | - |
| Test Condition: | - |
| Reverse Recovery Time (trr): | 1.5µs |
| Operating Temperature: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Supplier Device Package: | PLUS247,3 |
Номер детали
Торговая марка
Код даты
Кол-во
Номер детали :
IXBX75N170
Торговая марка : IXYS()
Код даты :
Кол-во : 3080
USD 0
Номер детали : IXBX75N170
Торговая марка : original new
Код даты : 21+
Кол-во : 6037
USD 0
Номер детали : IXBX75N170
Торговая марка : IXYS/
Код даты :
Кол-во : 42363
USD 0
Номер детали : IXBX75N170
Торговая марка : IXYS
Код даты :
Кол-во : 3000
USD 0
Номер детали : IXBX75N170
Торговая марка : IXYS
Код даты : 21+
Кол-во : 16000
USD 0
Номер детали :
IXBX75N170
Торговая марка : IXYS()
Код даты :
Кол-во : 3080
USD 0
Номер детали : IXBX75N170
Торговая марка : original new
Код даты : 21+
Кол-во : 6037
USD 0
Номер детали : IXBX75N170
Торговая марка : IXYS/
Код даты :
Кол-во : 42363
USD 0
Номер детали : IXBX75N170
Торговая марка : IXYS
Код даты :
Кол-во : 3000
USD 0
Номер детали : IXBX75N170
Торговая марка : IXYS
Код даты : 21+
Кол-во : 16000
USD 0
|
Свяжитесь с нами
Авторские права © 2024 Все права защищены. Названия других продуктов и компаний, упомянутые здесь, могут являться товарными знаками соответствующих владельцев.
Использование данного сайта означает Ваше согласие с Hong Kong Inventory Limited Правилами использования и Соглашение о
