| Part Number: | SIS862DNT1GE3 |
| Product Name: | SIS862DNT1GE3 Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Merchant-Specific Identifier: | SIS862DNT1GE3 |
| Category: | Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Brand: | Vishay Siliconix |
| Description: | MOSFET N-CH 60V 40A 1212 |
| Series: | TrenchFET |
| Packaging: | Tape & Reel (TR) |
| FET Type: | N-Channel |
| Technology: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss): | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: | 40A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2.6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 32nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: | 1320pF @ 30V |
| Vgs (Max): | ±20V |
| FET Feature: | - |
| Power Dissipation (Max): | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Operating Temperature: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type: | Surface Mount |
| Supplier Device Package: | PowerPAK 1212-8 |
| Package / Case: | PowerPAK 1212-8 |
部品番号
ブランド
D/C
数量
価格 (USD)
部品番号 : SIS862DN-T1-GE3
ブランド : Vishay
D/C : 23+
数量 : 49450
価格 :
(USD)
USD
0
部品番号 : SIS862DN-T1-GE3
ブランド : VISHAY
D/C : 22+
数量 : 12000
価格 :
(USD)
USD
0
部品番号
ブランド
D/C
数量
部品番号 : SIS862DN-T1-GE3
ブランド : VISHAY
D/C : 19+
Qty : 7735
USD 0
部品番号 : SIS862DN-T1-GE3
ブランド : VISHAY
D/C : 22+
Qty : 3000
USD 0
部品番号 : SIS862DN-T1-GE3
ブランド : VISHAY
D/C :
Qty : 180
USD 0
部品番号 : SIS862DN-T1-GE3
ブランド : VISHAY
D/C : 19+
Qty : 7735
USD 0
部品番号 : SIS862DN-T1-GE3
ブランド : VISHAY
D/C : 22+
Qty : 3000
USD 0
部品番号 : SIS862DN-T1-GE3
ブランド : VISHAY
D/C :
Qty : 180
USD 0
